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涨价50%!2026供需缺口扩大

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xinwen.mobi 发表于 2025-11-12 23:36:02 | 显示全部楼层 |阅读模式
涨价50%!2026年供需缺口持续扩大,存储芯片引领涨价潮
一场席卷全球的存储芯片涨价风暴,正从深圳华强北的柜台迅速蔓延至整个AI产业链。

“16G DDR4内存条从180元涨到420元,1TB SSD价格翻倍至620元。”深圳华强北的商户们最近采取每日进货策略,避免囤货风险。

存储市场的疯狂涨价只是这场供需失衡的开始。自2025年3月以来,存储芯片价格一路飙升,闪迪(SanDisk)11月大幅调涨NAND闪存合约价格,涨幅高达50%。

而这仅仅是一个开端。多家机构预测,2026年存储芯片市场的供需缺口可能进一步扩大,行业高景气度有望保持。

01 涨价潮来袭:存储市场的疯狂现状
现货市场价格飙升,短短一周内,DDR5现货价格飙升25%。

深圳华强北的商户们不得不采取每日进货策略,内存和固态硬盘价格在短时间内纷纷翻倍。

这场涨价风暴已席卷整个存储产业链。

“除了HBM,DRAM、NAND闪存、SSD和机械硬盘全系列存储产品持续面临缺货涨价。”

全球存储芯片巨头们纷纷采取行动,三星电子已率先暂停10月DDR5 DRAM合约报价,引发SK海力士和美光等其他存储原厂跟进。

02 供需错配:2026年缺口扩大的背后推手
AI浪潮带来的需求爆发是此次供需失衡的核心驱动力。

据美光科技最新测算,单台AI服务器的DRAM使用量是普通服务器的8倍,NAND需求则是普通服务器的3倍。

训练一个大型语言模型就需要使用高达3-5TB的存储空间。

供给侧却面临重重困境。

主要存储原厂将产能优先分配给HBM(高带宽内存)等高利润产品,导致传统存储领域出现结构性供给紧张。

自2023年三季度起,三星、SK海力士、美光等存储芯片巨头就开始大幅削减传统DRAM产能。

据统计,2024年全球HBM产能同比激增200%,但仍无法满足市场需求。

更为严峻的是,从2024年4月起,多家海外存储芯片厂商相继宣布停产DDR4、LPDDR4X等旧制程产品,进一步加剧了市场供应紧张。

03 产业链影响:从电子产品到AI发展的全面冲击
存储芯片的涨价浪潮已开始向终端产品传导。

智能手机厂商不得不重新评估产品定价策略,个人电脑制造商则面临成本压力与市场需求的双重挤压。

服务器市场受影响最为严重,AI服务器的交付周期已从原来的3-4周延长至12-16周,严重拖慢了AI基础设施的建设进度。

招商证券指出:“海外存储原厂盈利能力持续提升,国内部分存储模组公司快速扭亏为盈,25H2利润预计将加速释放”。

这一观点得到了财务数据的支撑——闪迪Non-GAAP季度净利润环比增长331%,产能利用率已实现100%。

04 稀土金属:AI产业链的另一潜在瓶颈
在存储芯片技术演进中,稀土金属正从辅助材料向战略资源转变。

2025年8月,中国商务部发布的稀土物项出口管制公告,将用于先进芯片的稀土物项纳入管制范围,这一政策直接影响海外先进制程与存储芯片产能。

稀土元素在新型存储技术研发中展现出独特优势。

美国芝加哥大学研究团队开发出一种突破性的量子存储技术,利用晶体内的单原子缺陷来表示数据。

这项创新技术将稀土元素镧和镨融入氧化钇晶体,在毫米级大小的晶体立方体中实现了数个太字节的数据存储容量。

在传统存储芯片制造工艺中,稀土元素同样扮演着不可或缺的角色。

化学机械抛光(CMP)工艺大量使用铈基抛光液,这是稀土在半导体制造中用量最大的环节之一。

中国在全球稀土供应链中占据主导地位,承担着全球90%以上的稀土精炼产能。

据国际能源署估计,到2030年,全球对稀土元素的需求将增长3-7倍,而稀土开采项目的建设周期通常需要10-15年。

05 投资机遇:产业链重构下的机会与风险
存储芯片的供需紧张格局带动了全产业链的投资机会。

国信证券在研报中明确表示:“存储缺货涨价行情有望贯穿26年全年,看好利润弹性超预期。”

在AI需求持续拉动与存储价格上行的背景下,为应对日益增长的存储需求,原厂存在加大资本开支的可能性,从而带动半导体设备需求提升。

建议关注刻蚀、沉积等关键环节的国产半导体设备公司。

具体到投资标的,国信证券建议关注江波龙、德明利、佰维存储及兆易创新等国产存储厂商,这些公司有望迎来量价齐升机遇期。

与此同时,稀土永磁行业也迎来历史性发展机遇。

据中金公司研究部预测,2025年全球稀土永磁市场规模将达到320亿美元,同比增长14.3%。

这一增长主要由新能源汽车、风电和工业电机三个应用市场驱动。

06 未来展望:超越周期的新趋势
存储芯片产业的这次剧烈调整,反映出全球半导体产业正在经历深刻转型。

在AI浪潮的推动下,存储芯片不再仅仅是数据的存储载体,而是成为提升计算效率的关键环节。

这种定位的转变,将永久性地改变存储芯片在半导体产业中的地位和价值链分配。

从技术演进路径来看,存储芯片正在向三维堆叠、超高密度方向发展。

在最新的3D NAND技术中,镧系稀土元素被用于控制栅极和阻挡层的制造,以提高存储单元的可靠性和耐久性。

随着堆叠层数的不断增加,对稀土材料的依赖程度将进一步加深。

行业专家普遍认为,本轮存储芯片短缺是结构性缺货,而非周期性波动,预计将持续至2027年。

在此期间,价格波动与供应紧张将成为常态。

存储芯片的短缺与涨价暴露了全球AI产业链的脆弱性。行业专家普遍认为,本轮存储芯片短缺是结构性缺货,而非周期性波动,预计将持续至2027年。在此期间,价格波动与供应紧张将成为常态。

未来,随着AI算力需求持续增长,存储芯片将迈向更高性能、更高密度的技术路线。而稀土金属及其相关材料,凭借其独特的物理化学特性,将成为塑造全球AI竞争格局的关键要素。

在全球AI竞赛中,算力与存力如同左膀右臂,而稀土资源则是支撑这一切的“血液系统”。任何一个环节的短缺,都可能导致整个AI产业生态失衡。

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